窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
sp^3価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は,結晶場相互作用によって既約表現がΓ_1とΓ_5の状態に分裂し,スピン軌道相互作用によってさらなる微細構造に分裂している.窒化アルミニウムの場合,結晶場相互作用が大きいことから,Γ_1とΓ_5の状態間の歪み相互作用はほぼ無視できる.したがって,Γ_1の状態に対する歪み効果は,2つの変形ポテンシャルで記述可能である.しかし,これまでの実験手法では,これらの値を独立に決定することは不可能であり,擬立方晶近似を仮定するのが常であった.本論文では,無極性面の窒化アルミニウムバルク基板に対して,結晶主軸に平行な方向および垂直な方向から一軸性応力を加えながら偏光反射測定を行うことで,擬立方晶近似を使用せずに2つの変形ポテンシャルを独立に同定したことを報告する.
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2011-11-10

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク