川上 養一 | 京都大学工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科
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船戸 充
京都大学工学研究科
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 茂夫
京都大学工学部
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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林 啓太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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金井 聡庸
京都大学工学研究科電子工学専攻
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近藤 剛
京都大学工学研究科電子工学専攻
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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畑田 芳隆
京都大学工学研究科電子工学専攻
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
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バナル ライアン
京都大学工学研究科
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石井 良太
京都大学工学研究科
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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成川 幸男
京都大学工学研究科電子物性工学
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中村 修二
日亜化学工業(株)開発部
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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大前 邦途
京都大学工学研究科電子物性工学
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澤田 憲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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西條 慎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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澤田 憲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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岡本 晃一
科学技術振興機構さきがけ
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SCHERER Axel
Department of Physics, California Institute of Technology
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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市野 邦男
京都大学工学部電気工学教室
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Scherer Axel
Department Of Physics California Institute Of Technology
-
SCHERER Axel
Department of Electrical Engineering, California Institute of Technology
著作論文
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 表面プラズモンを用いた高輝度発光素子
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- II-VI族半導体ヘテロ構造の設計と作製
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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