向井 孝志 | 日亜化学工業 窒化物半導体研
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概要
関連著者
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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成川 幸男
日亜化学工業
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部
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長濱 慎一
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
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林 啓太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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小島 一信
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
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シュワルツ ウルリヒ・T
Department of Physics, Regensburg University
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ブラウン ハラルド
Department of Physics, Regensburg University
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近藤 剛
京都大学工学研究科電子工学専攻
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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ブラウン ハラルド
Department Of Physics Regensburg University
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シュワルツ ウルリヒ・t
Department Of Physics Regensburg University
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畑田 芳隆
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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丸月 義一
日亜化学工業株式会社
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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坂本 貴彦
日亜化学工業
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佐野 雅彦
徳島大学 高度情報化基盤センター
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小崎 徳也
日亜化学工業
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小崎 徳也
日亜化学工業(株)ld開発部
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佐野 雅彦
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
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向井 孝志
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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佐野 雅彦
徳島大学総合情報処理センター
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佐野 雅彦
日亜化学工業
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山田 孝夫
日亜化学工業
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長浜 慎一
日亜化学工業 窒化物半導体研
著作論文
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN系LD/LEDの開発動向と現状
- LEDの動向 (四国支部特集号)