金田 昭男 | 京都大学工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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金井 聡庸
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
著作論文
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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