金田 昭男 | 京都大学工学研究科電子工学専攻
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
金田 昭男
京都大学工学研究科
-
川上 養一
京都大学工学研究科
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
著作論文
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)