船戸 充 | 京都大学工学研究科
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概要
関連著者
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船戸 充
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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バナル ライアン
京都大学工学研究科
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石井 良太
京都大学工学研究科
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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林 啓太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 茂夫
京都大学工学部
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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金井 聡庸
京都大学工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
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近藤 剛
京都大学工学研究科電子工学専攻
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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畑田 芳隆
京都大学工学研究科電子工学専攻
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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橘 邦英
京都大学工学研究科
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橘 邦英
京都工繊大工芸
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橘 邦英
京工繊大
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橘 邦英
愛媛大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
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石井 正宏
京都大学工学部電気工学教室
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センター
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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Tachibana Kunihide
Department Of Electronics And Information Science Kyoto Institute Of Technology:department Of Electr
著作論文
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
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