Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 名古屋工業大学の論文
- 2002-03-31
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
Rusop M.
名古屋工業大学都市循環システム工学専攻
-
Rahman M.
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
Rusop M
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
Rusop Mohamad
Department Of Environment Technology And Urban Planning Nagoya Institute Of Technology
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
Rusop Mohamad
名古屋工業大学都市循環システム工学専攻
関連論文
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- Characterization of TiO2 Incorporated Zeolite Thin Films for solar Cell Application
- Theoretical Performance Study of n-TiO2/p-CuInSe2 Solar Cell and Its Modification for Improved Efficiency
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
- Boron and phosphorus electronic doping of amorphous carbon by pulsed laser deposition using graphite target
- Studies on transparent semiconducting cuI films deposited by XeCl excimer laser and fabrication of p-CuI|n-TiO2 solar cells
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
- Diamond-like Carbon thin films deposited in ambient Helium gas : structural and electrical properties
- C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
- C-6-12 MOCVD法により成長したSi基板上InGapの特性改善
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベーション効果
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- 高温動作センサ用GaN系半導体の結晶成長
- GaNショットキーダイオードの特性
- GaNショットキーダイオードの特性
- C-10-6 サファイア基板上AI_xGa_Nのショットキー特性
- SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- SC-7-6 Si基板上のレーザ
- 格子ミスマッチ系のヘテロエピタキシによる高機能デバイスの開発を目指して
- (311)A面GaAs基板上に作製したInGaAs/GaAs/AlGaAs歪み量子井戸レーザの発振特性
- GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製
- 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
- 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
- 大きさ・位置特定ネットワークによる最高速度標識の認識システム
- A-1-9 CMOS多値回路の設計と画像処理への応用
- D-2-1 生態の視覚系モデルによる動き検出アナログ電子回路
- InxGa1-_xAs活性層を有するSi基板上面発光レーザの試作
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOCVD法により作製したSi基板上面発光レーザ
- MOCVD法を用いたSi基板上GaAs系面発光レーザの試作
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaAs系発光デバイス : 光電子集積回路実現に向けて
- 大気中での原子間力顕微鏡による結晶評価
- Si基板上GaAs系レーザに関する研究
- Si基板上赤外面発光レーザ用半導体多層膜反射鏡
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 車載用視覚補助システムの研究
- 車載用視覚補助システムの研究
- 化学ビームエピタキシャル(CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長
- 科学技術教育
- ニューロンモデルを用いた手書き文字認識システムの試作
- 化合物半導体/シリコン積層構造を用いた超高効率太陽電池
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- 常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
- Molecular Beam Epitaxy of Gallium Antimonide
- ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レーザー