InxGa1-_xAs活性層を有するSi基板上面発光レーザの試作
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概要
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Si基板上GaAs系レーザにおいては,高密度転位及び高残留引っ張り応力がレーザの諸特性を悪化させており,これらの解決が大きな課題となっている.本研究では,この引っ張り応力の緩和を目的とし,In組成2%の活性層を有するSi基板上AlGaAs/InGaAs 10重量子井戸面発光レーザを作製し,このレーザにおいて,160Kでの連続動作に成功した.また,In添加により応力が緩和されることが明らかになり, さらに,Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザと比較して,寿命が改善されたことが一定電流寿命試験及びエレクトロルミネッセンス像の観察より確認された.今後,活性層のIn組成比を最適化することにより,Si基板上面発光レーザの室温連続発振が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
村田 宜彦
名古屋工業大学電気情報工学科
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
山田 泰之
名古屋工業大学電気情報工学科
-
中西 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
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