大気中での原子間力顕微鏡による結晶評価
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概要
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化学ビームエピタキシー法(CBE)によるGaAsのSi (001)基板上(2°オフ)への成長を行った。この成長プロセス中の Si基板表面を原子間力顕微鏡(AFM)によって観察して結晶性を評価した。基板表面は酸化によって基板の傾斜角に依存するステップバンチングと呼ばれる形状を成してラフネスが粗くなることが分かった。また洗浄表面は原子レベルの平坦性を得るのに十分でないことが分かった。さらに成長前の熱処理段階では表面でSi原子のマイグレーションが起きていることを示す表面形状の変化が観察された。また低温層の表面は3次元成長を示す表面形状が観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
吉田 有希
名古屋工業大学
-
安達 充浩
名古屋工業大学
-
伊藤 猛
名古屋工業大学
-
島崎 晃治
名古屋工業大学
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