MOCVD法により作製したSi基板上面発光レーザ
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概要
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MOCVD法を用いて、Si基板上にAlGaAs/GaAs面発光レーザを作製し現在150Kまでの連続動作が確認されている。今回はこれと同構造のレーザで、室温におけるパルス動作及び100Kにおける連続動作での寿命試験を行った。また、Si基板上GaAs系レーザにおいては、高密度転位及び高残留応力が問題となっていたが、成長層をポスト(円柱)型にエッチングすることで残留応力が緩和され、その後更にAsH3雰囲気中において850℃で1時間アニール処理を行うことにより、結晶性の改善がカソードルミネッセンス法により確認できた。今後、この処理を施したレーザにおいて室温連続発振の実現が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
村田 宜彦
名古屋工業大学電気情報工学科
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
中西 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
-
井奈波 恒
名古屋工業大学電気情報工学科
-
長谷川 義晃
名古屋工業大学電気情報工学科
-
長谷川 義晃
松下電器産業株式会社
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