長谷川 義晃 | 松下電器産業株式会社

スポンサーリンク

概要

• 長谷川 義晃の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 松下電器産業株式会社の論文著者

関連著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 長谷川 義晃

  松下電器産業株式会社

• 長谷川 義晃

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 村田 宜彦

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 中西 直樹

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 井奈波 恒

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 出口 常正

  名古屋工業大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• MOCVD法により作製したSi基板上面発光レーザ
• MOCVD法を用いたSi基板上GaAs系面発光レーザの試作
• Si基板上GaAs系発光デバイス : 光電子集積回路実現に向けて
• ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レーザー
• ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レ-ザ-
• MOCVD法を用いたGaAs/Si上の光・電子デバイス
• Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザの作製

スポンサーリンク