Si基板上GaAs系発光デバイス : 光電子集積回路実現に向けて

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概要

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• 将来の光電子集積回路の実現に向けて、超寿命Si基板上GaAs系発光デバイスはキーデバイスとなる。しかしながら現段階では10-6cm^<-2>台の高密度転位がデバイス上の信頼性を悪化させ、実用レベルまで至っていない。本報告では、従来のSi基板上AlGaAs/GaAs量子井戸レーザの急速劣化機構について論じた後、活性層に微量のInを添加したSi基板上AlGaAs/InGaAs量子井戸レーザにおける寿命改善及びその劣化形態について言及する。続いて、droplet epitaxy法を用いて自己形成したGaAsドットをSi基板上GaAs系発光ダイオードに応用し、その諸特性について報告する。

• 1996-02-15

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 長谷川 義晃

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 長谷川 義晃

  松下電器産業株式会社

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