MOCVD法を用いたGaAs/Si上の光・電子デバイス

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概要

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• Si基板上にGaAs結晶を成長させることにより、Si基板としてのメリットとGaAsの電気的・光学的優位性を兼ね備えた光・電子集積回路や光インターコネクションなどの新しい機能デバイスが実現できる可能性がある。しかし、SiとGaAsでは約4%の格子不整合、約2. 5倍の熱膨張係数差が存在し、転位および熱歪みの発生、表面モホロジーのマクロスッテプの発生、成長層へのSiのオートドーピングなどの問題点があり、これらはSi基板上のデバイス特性の劣化につながる。本報告では、MOCVD法を用いたSi基板上GaAs系光・電子デバイスついて報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-09-26

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 長谷川 義晃

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 長谷川 義晃

  松下電器産業株式会社

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