MOCVD法を用いたSi基板上GaAs系面発光レーザの試作
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概要
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MOCVD法を用いてSi基板上にAlGaAs/GaAs面発光レーザを作製した。基板側及び光出射側反射鏡として、それぞれ分布反射(DBR)型のAlAs/Al_<0.1>Ga_<0.9>As半導体多層膜(23対)及びAu金属薄膜反射鏡を用いた。また、共振器長は発振波長の光学的3倍とし、活性層はAl_<0.3>Ga_<0.7>As/GaAsの多重(10重)量子井戸構造とした。このレーザを100Kで連続動作させたところ、閾値電流73mA(閾値電流密度3.7kA/cm^2)においてレーザ発振が確認された。このときの発振波長は844nmで全半値幅は2.2nmであった。Si基板上面発光レーザで連続動作に成功した前例はなく、今回が最初であると思われる。また、このレーザでは150Kまで連続動作が可能であり室温連続発振の実現が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-20
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
村田 宜彦
名古屋工業大学電気情報工学科
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
中西 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
-
長谷川 義晃
名古屋工業大学電気情報工学科
-
長谷川 義晃
松下電器産業株式会社
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