C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
村瀬 幸祐
名古屋工業大学
-
小川 隆司
名古屋工業大学
-
堀 健吾
名古屋工業大学
-
王 剛
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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