天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価

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概要

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• 天然材料である樟脳から作らせたカーボンをターゲットに用いて、イオンビームスパッタリング法により、n型の単結晶シリコン及び石英基板上に常温でカーボン薄膜を堆積した。10^4-10^5cm^-1の光吸収係数が得られ、アニールによりその値は増加する傾向にあった。また、その光吸収から光学バンドギャップが0.5eVと測定された。それら薄膜の、光学的、電気的特性のアニールの効果を調べた。そしてこれらの結果を他の文献と比較し、検討を行った。

• 1998-05-21

著者

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 曽我 哲夫

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

• Krishna Kalaga

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• Krishna K

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• Mominuzzaman S.m.

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 萩本 幸治

  名古屋工業大学都市循環システム工学専攻

• 萩本 幸治

  都市循環システム工学専攻

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