エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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SeS_2を用いてSiとGaAsの接着を行った.この方法による接着は非常に強固なもので,様々なプロセスに耐えることができる.エピタキシャルリフトオフ法により,Si基板上にGaAs薄膜のみを残し,薄膜の評価をPL法,TRPL法を用いて行った.TRPL測定の結果,少数キャリアライフタイムはSi基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaAsよりも長いことが分かった.また,この方法を使ってSi基板上GaAs薄膜太陽電池を作製し,AM0,27℃の条件の下でI-V測定を行った.得られた効率はGaAs基板上GaAs太陽電池のものに比べ,低かった,しかし,この原因の多くは,接着時の影響ではなく,InGaP窓層の上に成長するGaAsの結晶品質が劣っていることにあることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-17
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
田口 裕規
名古屋工業大学
-
岡田 尚晃
名古屋工業大学
-
板倉 健太郎
名古屋工業大学
-
梅野 正義義
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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