化合物半導体/シリコン積層構造を用いた超高効率太陽電池
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概要
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Si基板上にGaAsをMOCVD法により成長させることによってGaAs/Siの高効率タンデム型太陽電池を作製した。トップセルであるGaAs太陽電池のエミッタ層はバンドギャップ傾斜型構造を採用し、短絡電流の向上を図った。また、結晶成長時に熱サイクルアニール(thermal cycle annealing)を900℃から300℃で行った。この試料の電子ビーム誘起電流(EBIC)と透過電子顕微鏡(TEM)像において転位密度が低減されているのが分かった。このGaAs太陽電池で短絡電流、開放電圧がともに向上し、16.1%の真性効率を得ることができた。また、ひずみ超格子層を導入した太陽電池において15.1%の効率を得た。これを用いてタンデム型太陽電池を作りGaAs/Siタンデム型太陽電池においては3端子出力で20.6%(AM0,1 sun,27℃)を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
白石 卓也
名古屋工業大学電気情報工学科
-
Baskar K
名古屋工業大学電気情報工学科
-
加藤 利道
名古屋工業大学電気情報工学科
-
白石 卓也
名古屋工業大学
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