メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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カーボン(C)は, ダイヤモンドやグラファイトなど多くの同素体があり, 多様性に富んだ材料である.本研究では, アモルファスカーボン(a-C)薄膜を電子デバイスとして応用することを目的とし, a-C薄膜に窒素のドーピングを試みた.メタン及び窒素プラズマ源を別に設ける「ダブルビーム法」により, a-C薄膜への窒素ドーピングを行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
鎌田 直樹
名古屋工業大学工学研究科
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
林 靖彦
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
林 靖彦
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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