GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製
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概要
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MBE法によりSi単一ドーパントのみを用いて、p型及びn型の伝導型の制御を行い、(lll)A面GaAs基板上にAlGaAs, GaAsダブルヘテロ構造LDを成長した。そして、このDH構造素子を酸化膜ストライプ構造(ストライプ幅10μm)に加工した。このDH構造素子を室温連続動作させたところ、注入電流150mA程度において、30nWの発光を確認した。さらに、平坦なAlGaAs/GaAs量子界面が制御性良く成長されているため(lll)A面GaAs基板上にSi単一ドーパントのみで、レーザ構造が作製可能なことが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-20
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
藤田 和久
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
渡辺 敏英
Atr光電波通信研
-
渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
庭野 裕
名古屋工業大学
-
似鳥 耕一
ATR光電波通信研究所
-
庭野 裕
名古屋工業大学電気情報工学科
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