直井 弘之 | 三重大学SVBL

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概要

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関連著者

• 平松 和政

  三重大 工

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 坊山 晋也

  三重大学 工学部

• 吉川 兼司

  三重大学 工学部

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 竹内 亮

  三重大学 工学部

• Riemann T

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Riemann T

  Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu

• Bertram F

  Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu

• Bertram F

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• Christen J

  Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu

• Christen J

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• 平松 和政

  三重大学 大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学 大学院工学研究科

• 坊山 晋也

  三重大学工学部

• 吉川 兼司

  三重大学工学部

• 竹内 亮

  三重大学工学部

• Riemann T.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Riemann T

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

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著作論文

• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)

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