平松 和政 | 三重大学工学部電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 澤木 宣彦

  名古屋大

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 福井 一俊

  福井大fir

• 濱村 寛

  株式会社ニコン精機カンパニー

• 濱村 寛

  (株)ニコン精機カンパニー

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• 只友 一行

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 大内 洋一郎

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 平松 和政

  三重大

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 渡辺 博信

  三重大学工学部

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 太田 慶一

  三重大学工学部

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 寺田 雄祐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  三重大学工学部電気電子工学科

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学

• 川口 靖利

  名大・工

• 川口 靖利

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 平松 和政

  名古屋大学工学部電子工学科

• 沢木 宣彦

  名大・工

• 赤崎 勇

  名大・工

• 赤崎 勇

  名古屋大学工学部

• 中村 淳

  中部キレスト(株)

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 矢口 紀恵

  (株)日立サイエンスシステムズ

• 柴田 泰宏

  三重大学工学部

• 阿部 晃久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山路 浩規

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト長岡技科大

• 平松 和政

  名大・工

• 小出 晋也

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中村 和哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 安川 浩範

  三重大学工学部

• 辻澤 健一

  三重大学工学部電気電子工学科

• 田鍋 智章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト(株)

• 中村 淳

  中部キレスト (株)

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 伊藤 健治

  名古屋大学工学部

• 塩谷 英一

  (株)ニコン精機カンパニー

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 矢口 紀恵

  日立サイエンスシステムズ

• 灰野 正紘

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山口 元男

  三重大学工学部電気電子工学科

• 大西 勝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 曽根 弘樹

  名古屋大学工学部電子工学料

• 矢口 紀恵

  日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 小野 善伸

  住友化学

• 小野 善伸

  住友化学工業(株)筑波研究所

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 馬 ベイ

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学工学部電気電子工学科

• 胡 衛国

  三重大学工学部電気電子工学科

• 水谷 広光

  三重大・工

• 西山 克哉

  三重大・工

• 水谷 広光

  三重大学工学部電気電子工学科

• 西山 克哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 新坂 俊輔

  (株)ニコン精機カンパニー

• 松嶋 秀忠

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 花井 寿佳

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 菅原 克也

  北海道大学

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 渡邉 博信

  三重大学工学部

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 西川 直宏

  住友化学株式会社筑波研究所

• 長谷 吉起

  三重大学工学部電気電子工学科

• 楠 真一郎

  三重大学工学部電気電子工学科

• 土田 良彦

  住友化学株式会社筑波研究所

• 小野 善伸

  住友化学株式会社筑波研究所

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 片桐 佑介

  三重大学工学部電気電子工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 呉 潔君

  三重大学工学部電気電子工学科

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス(株)電子管事業部

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 土田 良彦

  住友化学株式会社

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 小野 善伸

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 西川 直宏

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 赤崎 勇

  名大工

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 沢木 宣彦

  名大・工学部

• 灰野 正絋

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 小出 康夫

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 康夫

  独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所

• 矢橋 勝典

  名古屋大学工学部電子工学科

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 柴田 巧

  名古屋大学工学部電子工学科

• 平松 和政

  名大工

• 沢木 宣彦

  名大工

• 伊藤 健治

  名大・工

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 康夫

  京都大学材料工学

• 沖 憲典

  九州大学 大学院総合理工学研究院

• Oki Kensuke

  Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer

• 沖 憲典

  九州大学総理工

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科

• 漆戸 達大

  三重大学工学部

• 平松 和政

  三重大学

• 山田 和弘

  名古屋大学理学部数学科

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 岡川 広明

  三菱電線工業株式会社

• 天野 浩

  名大工

• 桑野 範之

  九州大学先端科学技術共同研究センター

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 田中 成泰

  名大・工

• 日比野 倫夫

  名大理工総研

• 日比野 倫夫

  名古屋大学理工学総合研究センター

• 日比野 倫夫

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 澤木 宜彦

  名大・工

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 天野 浩

  名大・工

• 坊山 晋也

  三重大学工学部

• 吉川 兼司

  三重大学工学部

• 竹内 亮

  三重大学工学部

• Riemann T.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• 坊山 晋也

  三重大学 工学部

• 吉川 兼司

  三重大学 工学部

• 竹内 亮

  三重大学 工学部

• Riemann T

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• 山田 和弘

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• Riemann T

  Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu

• 伊藤 弘孝

  三菱電線工業(株)中央研究所基礎技術研究部

• 小出 康夫

  名大・工

• 滝 海

  九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻

• 小出 典克

  名大工

• 田中 成康

  名大・工

• 土生 喜雄

  名大・工

• 竹内 哲也

  名大・工

• 宮下 啓二

  三菱電線工業

• Bertram F

  Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu

• Bertram F

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• Christen J

  Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu

• Christen J

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• 城市 隆秀

  三菱電線工業(株)

• 若木 守明

  東海大学工学

• 渡邊 博信

  三重大学工学部

• 川本 武史

  名古屋大学工学部

• 山田 和弘

  名古屋大学大学院工学研究科

• 柳ケ瀬 雅司

  名古屋大学工学部

• 神崎 陽介

  東海大学工学研究科光工学専攻

• 西川 円

  名大・工

• 田中 成泰

  名大工

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

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著作論文

• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 28a-ZS-9 GaNの選択成長における成長雰囲気の影響
• 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
• ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
• GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• LPEE成長InGaPの成長初期の組成変動 : エピタキシーII
• InGaPの (111)A GaAs基板上への液相成長におけるAl添加効果 : 溶液成長III
• MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果
• InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)

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