GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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反応性イオンエッチング(RIE)により自然形成されるGaNのナノ針状結晶(nanotips)の形成における特性および、nanotipsからの電界放出特性について評価した。選択横方向成長(ELO)したGaN基板上に形成させたnanotipsは基板表面上に一様に分布しており、転位との依存性がないことが確認できた。また、エッチング時間を増加させることにより、nanotipsの高さが増加することが確認でき、エッチング時間4分で約1μmの高さのnanotipsが得られた。nanotipsから電界放出された微視的な電子電流I_<FC>は、印加電圧が1500Vのときに約0.2μA(73mA/cm^2)であり、印加電圧1200Vで1時間の間、約12nAで安定しており、nanotipsの冷陰極への応用が有望であることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
寺田 雄祐
三重大学工学部電気電子工学科
-
吉田 治正
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
-
漆戸 達大
三重大学工学部
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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