THM法によるカルコパイライト型半導体単結晶の作製
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概要
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Most of Cu-III-VI_2 compounds with chalcopyrite strucyure grow through a peritectic reaction or a solid state phase transition during the cooling process. The traveling heater method (THM) is considered to be a technique suitable for obtaining high quality bulk single crystals of the compounds, since they can be growth below the temperatures of phase transitions. Up to this time, growth of CuGaS_2, CuGaSe_2, CuInS_2 and CuInSe_2 single crystals by the THM with In solvents has been investigated. The CuGa_<0.6>In_<0.4>S_2 solid solution, which is well lattice-matched to ZnS, has also been obtained by using the THM technique.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1992-12-25
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
杉山 耕一
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
杉山 耕一
三重大学工学部
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