III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。我々は,選択成長で形成されるファセット形態を制御することにより,転位の伝搬を制御する技術,ファセット制御ELO(facet controlled ELO:FACELO)を提案し,厚さ10μmのGaN膜でTD密度が10^6cm^-2を達成している。ELO GaNの膜厚はマスクと窓の幅に依存し,最適なマスクと窓の幅は明らかでない。本研究では,FACELOにおけるマスクと窓の幅を系統的に変えることによって,GaNの転位伝搬やその密度,光学的特性に及ぼす影響を調べた。合体部を除くTD密度が10^5cm^-2台のGaNを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
平松 和政
三重大 工
-
直井 弘之
三重大学SVBL
-
竹内 亮
三重大学工学部
-
Riemann T.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Bertram F.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Christen J.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
竹内 亮
三重大学 工学部
-
Riemann T
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Bertram F
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Christen J
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Riemann T
Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu
-
Bertram F
Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu
-
Bertram F
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg
-
Christen J
Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu
-
Christen J
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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