GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaN epitaxial substrates are utilized to fabricate GaN based optical and electronic devices such as LDs, LEDs, photodetectors, FETS etc. However, the GaN includes a large number of dislocations, so considerable efforts have been made towards reducing the dislocation density. In this report, present states and problems of the crystal growth technique of the GaN epitaxial substrate are reviewed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
関連論文
- 光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 28a-ZS-9 GaNの選択成長における成長雰囲気の影響
- 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
- GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- HVPE法によるAlN厚膜の作製
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
- 第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
- ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
- III族窒化物半導体の結晶成長とカソードルミネッセンス評価
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
- LPEE成長InGaPの成長初期の組成変動 : エピタキシーII
- 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長