有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(<小特集>III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Transmission electron microscope (TEM) analysis has been carried out for the growth process in thick InGaN layers prepared by metalorganic vapor phase epitaxy. In the case of growth on GaN/LT-AlN/α-Al_2O_3 (0001) , a thin InGaN Layer of a good quality can grow with a smooth interface of InGaN/GaN and a smooth (0001) exterior surface. Threading dislocations in GaN penetrate into the InGaN layer and have a pit on each end on the exterior surface of InGaN. By development of the pits, the InGaN layer becomes to have a shape of pyramids with {11^^-01} facet planes. Thereafter, InGaN with a columnar structure is deposited on the pyramids. A two-layer-structure is thus made in the thick layer. Energy-dispersive x-ray spectroscopy (EDX) analysis has confirmed that the lower layer has a lower In content than in the upper one which has the equilibrium composition In_<0.2>Ga_<0.8>N. The lower In content is attributed to the lattice coherence with GaN, or "composition pulling effect". Small grains of InN have been recognized on the surface of the upper layer of InGaN. The grains keep a good lattice coherency with the InGaN layer. On LT-AlN/α-Al_2O_3 (0001) , InGaN with the equlibrium composition grows in a columnar structure. Inside the InGaN layer, domains of a lower In content have been recognized. The domains have a crystal orientation relationship with the matrix of InGaN. These results suggest that the lattice coherency has a strong effect on the formation of inhomogenous regions in InGaN alloys.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-06-30
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
沖 憲典
九州大学大学院総合理工学研究科院
-
川口 靖利
名大・工
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
-
平松 和政
三重大 工
-
滝 海
九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
沖 憲典
九州大学 大学院総合理工学研究院
-
Oki Kensuke
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer
-
沖 憲典
九州大学総理工
-
澤木 宣彦
名古屋大
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
関連論文
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 青色発光ダイオードを求めて
- 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- タングステンマスクを用いたGaN選択成長 : 気相成長IV
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- 21世紀の科学技術のための大学評価に
- メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,量子カオス:理論と実験の現状,研究会報告)
- メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,京大基研短期研究会「量子カオス : 理論と実験の現状」,研究会報告)
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 「高度総合工学創造実験」による創造性教育の実践
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 28a-ZS-9 GaNの選択成長における成長雰囲気の影響
- 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- 結合量子井戸光変調
- Siを原子層ドープしたGaAsのラマン散乱 : δドープ層固有の格子振動モードに関して
- MBE成長したSi高濃度δドープGaAsのC-Vプロファイル
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重量子井戸構造による光非線形性とその高速応答
- 赤崎勇先生平成16年度文化功労者に : 窒化物半導体単結晶と青色発光素子の生みの親
- 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み