澤木 宣彦 | 名古屋大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
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澤木 宣彦
名古屋大学
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名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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名古屋大学
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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本田 善央
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
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澤木 宣彦
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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川口 靖利
名大・工
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
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高木 英俊
宇部工業高等専門学校
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横井 美典
名古屋大学工学研究科
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曽根 弘樹
名古屋大学工学部電子工学料
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清水 ヨ也
名古屋大学 工学部 電子工学科
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中島 由樹
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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田中 宏佳
名古屋大学工学研究科
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田中 宏佳
名大工
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灰野 正紘
三重大学工学部電気電子工学科
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山口 元男
三重大学工学部電気電子工学科
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家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
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前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
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大西 勝
三重大学工学部電気電子工学科
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彦坂 年輝
名古屋大学工学研究科
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小出 典克
名古屋大学工学研究科
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中村 剛
名古屋大学大学院工学研究科
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原 邦彦
日本電装(株)
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家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
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鈴木 孝昌
日本電装(株)
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松嶋 秀忠
名古屋大学 工学部 電子工学科
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花井 寿佳
名古屋大学 工学部 電子工学科
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清水 誠也
名古屋大学工学部電子工学科
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亀代 典史
名古屋大学院 工学研究科 電子工学専攻
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前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
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加藤 友将
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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小出 典克
名古屋大学工学部電子工学科
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吉田 隆
名大工
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吉田 隆
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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竹田 美和
名古屋大学
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竹田 美和
名古屋大学大学院工学研究科
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澤木 宣彦
名大・工・電子工学
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日比野 倫夫
名大理工総研
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平松 和政
三重大・工
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灰野 正絋
三重大学工学部電気電子工学科
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田中 成泰
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
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後藤 英雄
名古屋大学工学部電子工学科
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白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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白 知鉱
名古屋大学工学研究科
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西脇 達也
名古屋大学工学研究科
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樋口 恭明
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
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西本 宜央
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
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日比野 倫夫
名古屋大学理工科学総合研究センター
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矢橋 勝典
名古屋大学工学部電子工学科
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八田 一郎
名古屋大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学 工学部
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山田 和弘
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
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柴田 巧
名古屋大学工学部電子工学科
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伊藤 寛
日本電装研究部
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原 邦彦
日本電装研究部
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成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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黒岩 洋佑
名古屋大学工学研究科電子工学専攻
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沖 憲典
九州大学 大学院総合理工学研究院
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Oki Kensuke
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer
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吉田 隆
名古屋大学大学院工学研究科エネルギー理工学専攻
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沖 憲典
九州大学総理工
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樋口 恭明
名古屋大学大学院工学研究科
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西本 宜央
名古屋大学大学院工学研究科
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白 知鉱
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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平松 和政
三重大
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白 知鉱
名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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平松 和政
三重大学 大学院工学研究科
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大熊 繁
名古屋大学
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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山田 和弘
名古屋大学理学部数学科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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三宅 秀人
三重大工
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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榊 裕之
東大先端研
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榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
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榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
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榊 裕之
(社)応用物理学会
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小野木 克明
名古屋大学大学院工学研究科
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山内 睦文
中部大学工学部機械工学科
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佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
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村田 智洋
名古屋大学工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター
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沖 憲典
九州大学大学院総合理工学研究科院
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桑野 範之
九大・先端センター
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沖 憲典
九大・総理大
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兼子 一重
名古屋大学大学院工学研究科創造工学センター
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赤崎 勇
名城大学理工学部
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後藤 俊夫
名古屋大学化学科
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田中 成泰
名大・工
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山田 和弘
名大・工
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日比野 倫夫
名古屋大学理工学総合研究センター
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堀渕 嘉代
九大・総理工
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塚本 恵介
九大・総理工
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川口 靖利
三重大工
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南部 真吾
名古屋大工
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曽根 弘樹
名古屋大工
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平松 和政
三重大工
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澤木 宣彦
名古屋大工
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八田 一郎
名古屋大 大学院
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堀渕 嘉代
九州大学大学院
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熊田 圭一郎
名古屋大学工学研究科
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八田 一郎
福井工業大学
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八田 一郎
名古屋大学工学部
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桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
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徳永 良邦
名古屋大学
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徳永 良邦
名古屋大学工学部物理工学科
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山内 睦文
中部大学
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滝 海
九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻
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清水 ヨ也
名古屋大学工学部
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山本 尚
米国シカゴ大学
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長藤 友建
東海職業能力開発大学校
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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安 亨沫
名古屋大学工学部電子工学科
-
城所 徹
名古屋大学工学部電子工学科
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坂部 孝雄
名古屋大学工学部電子工学科
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鈴木 孝昌
日本電装研究部
-
鈴木 孝昌
名古屋大学工学部電子工学科
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Goto T
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Tohoku University
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Goto Takaaki
Department Of Electric Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology
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長藤 友建
名古屋大学 大学院 工学研究科
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鳥飼 正幸
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻
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榊 裕之
生産技術研究所
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榊 裕之
豊田工業大学
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後藤 俊夫
名古屋大学 工学研究科量子工学専攻
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山田 和弘
名古屋大学大学院工学研究科
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Hatta Ichiro
Liberal Arts Fukui University Of Technology
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安 亨洙
名古屋大学工学研究科電子工学専攻
-
田中 成泰
名古屋大学大学院工学研究科
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赤崎 勇
名城大学
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兼子 一重
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
兼子 一重
名古屋大学
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佐川 みすず
日立 中研
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後藤 俊夫
Imram Tohoku University
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鳥飼 正幸
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
-
城所 徹
名古屋大学工学部電子工学科:nec (株)
-
小野木 克明
名古屋大学
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水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
-
桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
-
後藤 俊夫
名古屋大学
-
長藤 友建
名古屋大学工学部機械・航空工学科
著作論文
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 青色発光ダイオードを求めて
- 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- タングステンマスクを用いたGaN選択成長 : 気相成長IV
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- 21世紀の科学技術のための大学評価に
- メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,量子カオス:理論と実験の現状,研究会報告)
- メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,京大基研短期研究会「量子カオス : 理論と実験の現状」,研究会報告)
- GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- 「高度総合工学創造実験」による創造性教育の実践
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 結合量子井戸光変調
- Siを原子層ドープしたGaAsのラマン散乱 : δドープ層固有の格子振動モードに関して
- MBE成長したSi高濃度δドープGaAsのC-Vプロファイル
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- 三重量子井戸構造による光非線形性とその高速応答
- 赤崎勇先生平成16年度文化功労者に : 窒化物半導体単結晶と青色発光素子の生みの親
- 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み