白 知鉉 | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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概要
関連著者
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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本田 善央
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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堀内 功
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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本田 善央
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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澤木 宣彦
愛知工業大学
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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名古屋大学大学院工学研究科
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名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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澤木 宣彦
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名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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白 知鉱
名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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著作論文
- Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長