天野 浩 | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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概要
関連著者
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本田 善央
名古屋大学
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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山口 雅史
名古屋大学
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大学
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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谷川 智之
名古屋大学工学研究科
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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白 知鉱
名古屋大学工学研究科
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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澤木 宣彦
愛知工業大学
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杉山 貴之
名城大学理工学研究科
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平野 光
大阪ガス開発研究部
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平野 光
創光科学
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ペルノー シリル
創光科学
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朴 貴珍
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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稲津 哲彦
創光科学
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藤田 武彦
創光科学
著作論文
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))