天野 浩 | 名城大学 理工学部材料機能工学科

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概要

• 同名の論文著者
• 名城大学 理工学部材料機能工学科の論文著者

関連著者

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 上山 智

  名城大学・理工学部

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学 理工学部 材料機能工学科

• 山本 翔太

  名城大学理工学部

• 桑原 洋介

  名城大学理工学部

• 藤井 崇裕

  名城大学理工学部

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 寺尾 真二

  名城大学・理工学研究科

• 寺尾 真二

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 赤★ 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 竹田 健一郎

  名城大

• 山本 準一

  名城大・理工

• 井手 公康

  名城大・理工

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名城大学

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 森 美貴子

  名城大学理工学部

• 井手 公康

  名城大学大学院理工学研究科

• 山本 準一

  名城大学大学院理工学研究科

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 岩谷 素顕

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大・理工

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 中村 哲也

  名城大学・理工学研究科

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 高浪 俊

  名城大学大学院・理工学研究科

• 望月 信吾

  名城大学・理工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 望月 信吾

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 中村 哲也

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 高浪 俊

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 宮崎 敦嗣

  名城大学 理工学研究科 ハイテクリサーチセンター

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 池田 和弥

  名城大学理工学部

• 磯部 康裕

  名城大学理工学部

• 一木 宏充

  名城大学理工学部

• 堀尾 尚文

  名城大学理工学部

• 榊原 辰幸

  名城大学理工学部

• 杉山 徹

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大・理工

• 伊藤 駿

  名城大・理工

• 青島 宏樹

  名城大・理工

• 竹原 孝祐

  名城大・理工

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 久志本 真希

  名古屋大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  阪大・院工

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 福山 敦彦

  宮崎大工

• 碇 哲雄

  宮崎大工

• 山口 栄雄

  神奈川大学工

• 天野 浩

  名城大

• 今出 完

  阪大院工

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 白 知鉉

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 白 知鉱

  名古屋大学工学研究科

• 平野 光

  大阪ガス開発研究部

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 岩村 保雄

  神奈川大学工学部

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 森 勇介

  大阪大 工

• 山口 栄雄

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 渡辺 康弘

  名城大学理工学部

• 新田 州吾

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 渡辺 康弘

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 富田 仁人

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 岩村 保雄

  神奈川大学

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 平野 光

  創光科学

• 天野 浩

  名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター

• ペルノー シリル

  創光科学

• 朴 貴珍

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 稲津 哲彦

  創光科学

• 藤田 武彦

  創光科学

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 森田 義己

  名城大学理工学部

• 中尾 達郎

  名城大学理工学部

• 藤山 泰治

  名城大学理工学部

• 伴 和仁

  名城大・理工

• 天野 浩

  名古屋大・大学院工

• 竹原 孝祐

  名城大学理工学研究科

• 永田 賢吾

  名城大学理工学研究科

• 青島 宏樹

  名城大学理工学研究科

• 伊藤 駿

  名城大学理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学理工学部

• 北野 司

  エルシード株式会社

• 山下 浩司

  名城大学理工学部

• 矢木 康太

  名城大学理工学部

• 田畑 拓也

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター

• 田畑 拓也

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• AlGaN系紫外LED
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 「急速に広がるGaN系405nm半導体レーザー応用」特集号によせて
• 短波長可視・紫外発光デバイス開発と半導体ヘテロエピタキシー
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響

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