岩村 保雄 | 神奈川大学

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概要

• 同名の論文著者
• 神奈川大学の論文著者

関連著者

• 岩村 保雄

  神奈川大学

• 岩村 保雄

  神奈川大学工学部

• 山口 栄雄

  神奈川大学工

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 山口 栄雄

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 渡辺 康弘

  名城大学理工学部

• 富田 仁人

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

• 赤崎 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 上山 智

  名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー

• 新田 州吾

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 渡辺 康弘

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 富田 仁人

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 新田 州吾

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 渡辺 康弘

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 森山 允

  神奈川大学

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著作論文

• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• PITS法による半絶縁性(CdSe)-(Ga2Se3)固溶体中の深い準位
• 12p-H-4 CdTe-Ge接合の特性

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