山口 栄雄 | 神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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概要
関連著者
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山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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山口 栄雄
神奈川大学工
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山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
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本間 秀幸
神奈川大学工
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本間 秀幸
神奈川大学大学院工学研究科
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安原 重雄
(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ
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下山 紀男
(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ
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長田 浩尚
神奈川大学工
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石井 辰弥
神奈川大学工
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石井 辰弥
神奈川大学大学院工学研究科
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松本 雅史
神奈川大学工
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山崎 純
神奈川大学工
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山口 栄雄
神奈川大工
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岩村 保雄
神奈川大学工学部
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新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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井野 友哉
神奈川大学大学院工学研究科
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山口 栄雄
神奈川大学工学部
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渡辺 康弘
名城大学理工学部
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富田 仁人
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
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岩村 保雄
神奈川大学
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米田 征司
神奈川大学工学部電子情報フロンティア学科
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小堀 裕太
神奈川大工
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赤崎 勇
名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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小堀 裕太
神奈川大学工
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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上山 智
名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー
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安齋 徹
神奈川大学大学院工学研究科
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山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
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山口 栄雄
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
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堀 公則
神奈川大学
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関谷 駿一
神奈川大学
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玉虫 涼平
神奈川大学
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新田 州吾
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
渡辺 康弘
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
富田 仁人
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
新田 州吾
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
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渡辺 康弘
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
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米田 征司
神奈川大学
著作論文
- C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- マイクロ熱電発電素子に関する研究
- C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
- C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
- C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- AlGaInN系およびGaInAsSb系薄膜熱電材料
- C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)