長田 浩尚 | 神奈川大学工

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概要

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• 長田 浩尚

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• 本間 秀幸

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• 山口 栄雄

  神奈川大学工

• 山口 栄雄

  神奈川大学大学院工学研究科

• 本間 秀幸

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

• 安原 重雄

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 下山 紀男

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 山口 栄雄

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• 石井 辰弥

  神奈川大学工

• 石井 辰弥

  神奈川大学大学院工学研究科

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著作論文

• C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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