山口 栄雄 | 神奈川大学工

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概要

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• 山口 栄雄

  神奈川大学工

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

• 山口 栄雄

  神奈川大学大学院工学研究科

• 本間 秀幸

  神奈川大学工

• 山口 栄雄

  神奈川大工

• 長田 浩尚

  神奈川大学工

• 石井 辰弥

  神奈川大学工

• 本間 秀幸

  神奈川大学大学院工学研究科

• 安原 重雄

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 下山 紀男

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 石井 辰弥

  神奈川大学大学院工学研究科

• 松本 雅史

  神奈川大学工

• 荒川 景

  神奈川大工

• 本間 秀幸

  神奈川大工

• 山崎 純

  神奈川大学工

• 岩村 保雄

  神奈川大学工学部

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 井野 友哉

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 長田 浩尚

  神奈川大工

• 渡辺 康弘

  名城大学理工学部

• 富田 仁人

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 岩村 保雄

  神奈川大学

• 米田 征司

  神奈川大学工学部電子情報フロンティア学科

• 小堀 裕太

  神奈川大工

• 赤崎 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 小堀 裕太

  神奈川大学工

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 上山 智

  名城大学 理工学部 ハイテクリサーチセンターナノファクトリー

• 安齋 徹

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大工:神奈川大hrc

• 石井 辰弥

  神奈川大工

• 堀 公則

  神奈川大学

• 関谷 駿一

  神奈川大学

• 玉虫 涼平

  神奈川大学

• 新田 州吾

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 渡辺 康弘

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 富田 仁人

  名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 新田 州吾

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 渡辺 康弘

  名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター

• 米田 征司

  神奈川大学

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著作論文

• C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• マイクロ熱電発電素子に関する研究
• C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
• C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
• C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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