有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

•   We have studied the thermoelectric properties of InSb thin films. They were prepared by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire substrate using sputtered InAs buffer layer. Substrate temperature during the deposition of InAs buffer layer was changed between 65°C and 250°C. Electrical properties, thermoelectric properties, and crystalline properties of InSb thin films with a InAs buffer were assessed using Hall measurement, Power factor and X-ray diffraction. The power factor of InSb was as high as 2.1×10−4 W/mK2 at a deposition temperature of 150°C of InAs.

• 2011-03-20

著者

• 本間 秀幸

  神奈川大学工

• 山口 栄雄

  神奈川大学工

• 石井 辰弥

  神奈川大学工

• 本間 秀幸

  神奈川大学大学院工学研究科

• 石井 辰弥

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

関連論文

• C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• マイクロ熱電発電素子に関する研究
• C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
• C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
• C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• AlGaInN系およびGaInAsSb系薄膜熱電材料
• C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク