C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
山口 栄雄
神奈川大学工
-
松本 雅史
神奈川大学工
-
山崎 純
神奈川大学工
-
小堀 裕太
神奈川大工
-
小堀 裕太
神奈川大学工
-
山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
-
山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
関連論文
- C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- マイクロ熱電発電素子に関する研究
- C-6-4 微小先端を有するペルチェデバイスの過渡特性評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 ペルチェモジュールを用いた微小物体の冷却と加熱(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-10 InSb系熱電発電および熱電冷却デバイスの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-9 InN薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 III-V族化合物半導体熱電デバイス(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-13 InSb薄膜熱電特性のキャリア濃度依存性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- 29a-K-3 II-VI族量子井戸構造の高密度励起下における時間分解分光
- C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
- C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 数値計算によるInSbの熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
- C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- AlGaInN系およびGaInAsSb系薄膜熱電材料
- C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)