AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaN上に成長した高品質Al_1-xIn_xNの構造的および光学的特性について検討した.Al_1-xIn_xNはGaNに格子整合するInNモル分率x=0.17でモザイク性のチルト成分とツイスト成分が同時に最小となり,下地のGaNと同程度の結晶品質が得られた.格子整合条件から離れるほど結晶性が劣化した。Al_1-xIn_xNのフォトルミネッセンスから,広範囲の波長領域にわたりInNモル分率x=0.14〜0.50に対応する発光が得られた.N_2をキャリアガスとして用いることにより,GaN上への高品質AlN結晶の成長を実現した.Al_0.90In_0.10N/GaNおよびAlN/GaN超格子構造を作製し,構造的および電気的特性の評価を行った.その結果,5周期Al_0.90In_0.10N/GaN超格子において移動度946cm^2/Vs,シートキャリア密度2.9×10^12cm^-2を,10周期AlN/GaN超格子において,移動度2610cm^2/Vs,シートキャリア密度3.38×10^12cm^-2を,いずれも室温で観測した.
- 2002-06-06
著者
-
山口 栄雄
神奈川大学工
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
岩村 保雄
神奈川大学工学部
-
新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大学工学部
-
渡辺 康弘
名城大学理工学部
-
新田 州吾
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
渡辺 康弘
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
富田 仁人
名城大学大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
富田 仁人
名城大学 大学院理工学研究科・ハイテクリサーチセンター
-
岩村 保雄
神奈川大学
-
山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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