AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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AlGaN混晶は紫外光デバイス実現のために必須の材料である。本論文ではクラックフリーで低転位AlGaN厚膜を面全体で実現するための手法について報告する。さらに、低転位密度化したAlGaN上に紫外LEDを試作した結果、発光中心波長363nm、半値幅4.8nmの単一な発光が得られ、発光出力は100m(DC)動作で2.6mWという高効率紫外LEDが実現できたので報告する。
- 2002-06-08
著者
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学大学院・理工学研究科
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