サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
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春日井 秀紀
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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三宅 泰人
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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天野 浩
名城大
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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本塩 彰
名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー
-
本塩 彰
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
津田 道信
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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井村 将隆
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
飯田 一喜
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
三宅 泰人
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
三宅 泰人
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
春日井 秀紀
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
-
春日井 秀紀
名城大 大学院理工学研究科
-
三宅 泰人
名城大 大学院理工学研究科
-
津田 道信
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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本塩 彰
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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