飯田 一喜 | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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概要
関連著者
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川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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飯田 一喜
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大
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宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
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津田 道信
名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"
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津田 道信
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社
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名城大学理工学部電機電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
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名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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本塩 彰
名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー
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本塩 彰
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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井村 将隆
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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三宅 泰人
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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三宅 泰人
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー
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春日井 秀紀
名城大 大学院理工学研究科
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三宅 泰人
名城大 大学院理工学研究科
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春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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本塩 彰
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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三島 俊介
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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藤元 直樹
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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バラクリッシュナン クリッシュナン
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
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三島 俊介
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
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三島 俊介
名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科
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広瀬 貴利
名城大学大学院・理工学研究科
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バラクリシュナン クリシュナン
名城大学大学院・理工学研究科
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佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
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高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
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佐野 智昭
名城大学大学院・理工学研究科
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成田 剛
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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上山 智
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科
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広瀬 貴利
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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広瀬 貴利
名城大 大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
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赤崎 勇
名城大・理工
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上山 智
名城大学・ハイテクリサーチセンター
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赤崎 勇
名城大学・ハイテクリサーチセンター
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上山 智
名城大学HRC
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天野 浩
名城大学HRC
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赤崎 勇
名城大学HRC
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
著作論文
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位AlGaN上の紫外発光素子
- 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))