低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

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概要

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• 短波長紫外発光素子を実現するためには低転位AlGaNが必須である。本論文では、周期溝構造を用いることで低転位化し、低温AlN中間層を挿入して歪を低減した高品質AlGaN上にGaN/AlGaN(MQW)活性層を有するUV-LDを作製した。動作電圧17V、光出力-電流特性において電流値約500mAという閾値電流であった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-08

著者

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 高浪 俊

  名城大学大学院・理工学研究科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

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