GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-05-12
著者
-
森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学
-
今出 完
大阪大学大学院工学研究科
-
杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
-
押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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