岩谷 素顕 | 名城大学大学院理工学研究科

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概要

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関連著者

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 津田 道信

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 本塩 彰

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 本田 善央

  名古屋大学

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 永松 謙太郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 古川 寛子

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 岡留 由真

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大 大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 古川 寛子

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 岡留 由真

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 竹田 健一郎

  名城大

• 春日井 秀紀

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学・理工学部

• 井手 公康

  名城大学大学院理工学研究科

• 山本 準一

  名城大学大学院理工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 高浪 俊

  名城大学大学院・理工学研究科

• 佐野 智昭

  名城大学大学院・理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 森 勇介

  阪大・院工

• 三島 俊介

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 市川 友紀

  名城大・理工

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 今出 完

  阪大院工

• 森 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 浅井 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 永田 賢吾

  名城大学大学院理工学研究科

• 市川 友紀

  名城大学大学院理工学研究科

• 根賀 亮平

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 水野 克俊

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 高木 俊

  イビデン株式会社

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科

• バラクリシュナン クリシュナン

  名城大学大学院・理工学研究科

• 森 勇介

  大阪大 工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 下野 健二

  イビデン株式会社

• 坂東 章

  昭和電工株式会社

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社

• 永井 哲也

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 坂東 章

  昭和電工(株):名城大学理工学部材料機能工学科

• 高木 俊

  イビデン

• 山本 準一

  名城大・理工

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 井手 公康

  名城大・理工

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 広瀬 貴利

  名城大 大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 赤崎 勇

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 上山 智

  名城大学HRC

• 天野 浩

  名城大学HRC

• 赤崎 勇

  名城大学HRC

• 赤 勇

  名城大学大学院・理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学工学研究科

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著作論文

• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 低転位AlGaN上の紫外発光素子
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
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