低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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短波長紫外発光素子を実現するためには低転位AlGaNが必須である。本論文では、周期溝構造を用いることで低転位化し、低温AlN中間層を挿入して歪を低減した高品質AlGaN上にGaN/AlGaN(MQW)活性層を有するUV-LDを作製した。動作電圧17V、光出力-電流特性において電流値約500mAという闘値電流であった。
- 2003-05-08
著者
-
川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
飯田 一喜
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
-
飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
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