高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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AlGaNを用いて紫外高効率発光を実現するためには結晶の低転の低減が必要であり、また取り出し効率向上のためにはバンドギャップの大きいAlGaNを用いることが必須である。本論文では紫外光を透過するAlGaNをテンプレートにして低転位成長を行った。表面CL像よりダークスポット密度は低転位部で5×10^6cm^<-2>程度であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
川島 毅士
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
井村 将隆
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
飯田 一喜
名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー
-
宮崎 敦嗣
名城大学大学院・理工学研究科
-
飯田 一喜
名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科
-
井村 将隆
名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
佐野 智昭
名城大学大学院・理工学研究科
-
上山 智
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-
天野 浩
名城大学HRC
-
赤崎 勇
名城大学HRC
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