AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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AlGaN混晶は紫外光デバイス実現のために必須の材料である。本論文ではクラックフリーで低転位AlGaN厚膜の成長方法を報告する。そしてAlGaN系活性層を発光層として用いる場合、高効率発光を得るためには低転位密度化が重要である事を示す。さらに、低転位密度化したAlGaN上に紫外LEDを試作した結果、発光中心波長363nm、半値幅4.8nmの単一な発光が得られ、発光出力は100mA(DC)動作で2.6mWという高効率紫外LEDが実現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
天野 浩
名城大学・理工学部理工学研究科21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
中村 哲也
名城大学・理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
上山 智
名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
赤崎 勇
名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学・理工学研究科
-
寺尾 真二
名城大学・理工学研究科
-
望月 信吾
名城大学・理工学研究科
-
佐野 重和
名城大学・理工学研究科
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