サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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• R面サファイア基板上に、MOVPE法を用い、高速成長とELOを組み合わせて、高品質なA面GaNを得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-05-20

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 古川 寛子

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 岡留 由真

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 仲野 靖孝

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