特許で失敗しない方法 : 国際会議はご用心
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
DAST結晶を用いた広帯域THz-TDSシステムによる配向カーボンナノチューブフィルムのテラヘルツ応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
テラヘルツ波発生用非線形光学結晶の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
膜タンパク質の結晶化技術の新展開及び創薬バリューチェインの紹介(誌上シンポジウム)
-
21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
-
ReCa_4O(BO_3)_3(Re=Y or Gd)結晶の育成と非線形光学特性
-
希土類・カルシウム・オキシボレート結晶ReCa_4O(BO_3)_3 (Re=Y or Gd)の育成と非線形光学特性
-
希土類・カルシウム・オキシボレート結晶ReCa_4O(BO_3)_3(Re=Y or Gd)の育成と非線形光学特性
-
1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による非線形有機結晶からのテラヘルツ波発生と時間領域分光装置への応用(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
-
有機非線形光学結晶を用いたフェムト秒光パルス励起テラヘルツ電磁波発生
-
全固体高出力UVレーザーとその応用
-
フェムト秒レーザーによるタンパク質結晶化の制御
-
2.3 レーザー波長変換技術(2. レーザー技術フロンティア,最新レーザーとプラズマ研究)
-
超短パルスレーザーを用いた有機結晶からのTHz波発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
-
01aA06 Naフラックス法によるGaN単結晶基板の評価(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
-
ハイパワー波長変換レーザー
-
タンパク質・有機分子の新しい結晶化技術
-
短パルスレーザーを用いた蛋白質の結晶化
-
18pA02 異分野連携による新しいタンパク質結晶化技術 : 創晶プロジェクト(特別講演会,第35回結晶成長国内会議)
-
DAST結晶を用いた高感度光電界センサの開発
-
バイオクリスタルデザイン
-
短パルスレーザーを用いた有機分子・蛋白質の結晶化
-
基礎研究からビジネス展開へ : 結晶技術の様々な実用化パターン(会員の声)
-
結晶から展開した産学連携・異分野連携とベンチャー起業
-
レーザー照射&溶液攪拌による新しいタンパク質結晶成長技術 : 発想の原点(最新のブレークスルーとなった成長技術)
-
「基板結晶」小特集によせて(特集序文)
-
「生体・医療材料」小特集によせて(小特集序文)
-
特許で失敗しない方法 : 国際会議はご用心
-
「ナノ結晶」小特集にあたって
-
新しい学生実験の試み : モノ作りに燃える学生を見て
-
「フォトニック結晶」小特集にあたって
-
ブリッジマン教授 : その多才な業績
-
ICCG-12参加報告 : 非線形光学結晶
-
「バルク窒化物半導体」小特集にあたって
-
LPE成長法による大型・低転位GaN単結晶の育成(基板結晶)
-
26aB12 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長,part I(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
-
26aB13 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長part II(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
-
5-327 産学連携を活用した社会人基礎力の育成(II) : 「Internship on Campus」による社会人基礎力の育成(口頭発表論文,(12)エンジニアリングデザイン-II)
-
CS-4-6 材料加工用波長変換紫外線レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
-
全固体高出力紫外レーザー
-
全固体高出力紫外レーザー
-
非線形光学結晶育成技術の現状と動向
-
非線型光学結晶KAB結晶の育成と評価
-
全固体高出力紫外レーザー
-
C-4-1 1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による有機非線形光学結晶からのテラヘルツ波発生と広帯域テラヘルツ分光装置への応用(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
P-32 産学連携による社会人基礎力の育成 : 「Internship on Campus」による社会人基礎力の育成((20)インターンシップ,ポスター発表論文)
-
有機およびタンパク質結晶育成における短光パルスレーザーの効果
-
17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
-
高品質CsB_3O_5単結晶の育成(機能性結晶I)
-
MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
-
イオンビームエッチングによる紫外用光学素子表面の高レーザー耐力化
-
Gd_xY_Ca_4O(BO_3)_3結晶の光損傷耐性に対する育成原料品質の効果(機能性結晶I)
-
溶液撹拌による有機非線形光学結晶DASTの結晶性向上 : 溶液成長I
-
有機非線形光学結晶DASTの育成と評価 : バイオクリスタルIV
-
モノリシック波長変換素子を用いた超小型全固体紫外レーザーの開発
-
GdYCOB結晶を用いた紫外光発生用小型モノリシック波長変換素子
-
GdYCOBを用いたモノリシック波長変換素子による紫外レーザーの開発(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
-
波長変換結晶CsLiB_6O_の高品質化と高出力紫外光発生
-
高出力紫外レーザー光発生用結晶CsLiB_6O_10(CLBO)の高品質化技術
-
高出力紫外レーザー光発生用CsLiB_6O_結晶の育成 : 育成中における融液攪拌の効果(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
-
溶液攪拌による非線形光学結晶CLBOの高レーザー耐力化 : 溶液成長I
-
ホウ酸系非線形光学結晶による紫外光発生
-
高レーザー耐力CLBO結晶表面の開発と紫外光発生
-
1.2 非線形光学結晶による高調波変換の基礎(非線形光学結晶とそのプラズマ研究への応用)
-
1.3 波長域を拡大する非線形光学結晶(非線形光学結晶とそのプラズマ研究への応用)
-
MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
-
MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
-
ホウ酸系非線形光学結晶・全固体紫外レーザーの開発とその応用
-
紫外光発生用非線形光学結晶CsB_3O_5の育成と評価 : 溶液成長II
-
GdYCOB結晶による紫外レーザー光発生
-
新しいボレート系単結晶の開発と全固体紫外レーザー応用
-
GdYCOB結晶ノ光損傷改善ト紫外光発生
-
育成原料の前処理による高品質CsLiB_6O_結晶の育成
-
KTiOPO_4結晶のバルクレーザーダメージと誘導ラマン散乱
-
紫外レーザーを用いた蛋白質結晶の加工
-
短パルスレーザーを用いた蛋白質の結晶化
-
温度降下法による2液界面での高品質および大型タンパク質結晶の育成
-
GdYCOB結晶の育成と光損傷の改善 : バルク成長V
-
23pA2 ReGdCOB(Re=Y、La)結晶の育成と複屈折率の操作(バルク成長V)
-
複屈折率制御可能な新しい非線形光学結晶GdYCOB結晶の開発
-
希土類・カルシウム・オキシボレート結晶の育成と評価 : バルク成長III
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
溶液からの結晶成長におけるプロセス制御と新展開 : 酸化物, たんぱく質から窒化物結晶まで
-
レーザー照射による蛋白質結晶成長制御
-
ボレート系結晶を用いた波長179nm真空紫外レーザー光の発生
-
フェムト秒レーザー誘起キャビテーションバブルによるタンパク質の結晶核発生(光で成長する結晶)
-
有機非線形光学結晶DASTの高品質化
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
-
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
-
非線形光学結晶CLBOの不純物制御と紫外光発生応用
-
Gd_xY_Ca_4O(BO_3)_3結晶(GdYCOB)によるNd:YAGレーザーの高調波発生
-
実験室 固相ハイドロゲル中でのタンパク質結晶化
-
CBO結晶の育成と評価
-
溶液流れ下におけるタンパク質の結晶成長(タンパク質結晶成長の最前線)
-
固相ハイドロゲル中でのタンパク質結晶化
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク