C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-29
著者
-
山口 栄雄
神奈川大学工
-
井野 友哉
神奈川大学大学院工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
-
関谷 駿一
神奈川大学
-
玉虫 涼平
神奈川大学
-
山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
関連論文
- C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- マイクロ熱電発電素子に関する研究
- C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
- C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
- C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- AlGaInN系およびGaInAsSb系薄膜熱電材料
- C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)