C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-03-02
著者
-
安原 重雄
(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ
-
長田 浩尚
神奈川大学工
-
本間 秀幸
神奈川大学工
-
山口 栄雄
神奈川大学工
-
下山 紀男
(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ
-
石井 辰弥
神奈川大学工
-
山口 栄雄
神奈川大学大学院工学研究科
-
本間 秀幸
神奈川大学大学院工学研究科
-
石井 辰弥
神奈川大学大学院工学研究科
-
山口 栄雄
神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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